品質十年保證,以生產電子元件為主,.多年來在電源,音響,設備,電表等諸多行業有固定的客戶群，贏得一定口碑.我們是一家始終不斷擴展國內市場并以全球化為目標的代理公司.誠信務實.信賴品質.精神.服務態度是我們的理念!我們不盲目講求高盈利、高增長，看重的是以增值服務回饋客戶，取得雙贏。

我們將會秉承自信、敬業、協作、創新的企業精神，規范操作、精益求精、持續改善、服務于廣大客戶.貼片鋁電解電容片式/寬溫度/105℃/2000小時A.工作溫度范圍寬（-55℃—+100℃），105℃標準品B.適用于高密度表面組裝C.適用于回流焊D.性能穩定、可靠性高E.ROHS指令已對應完畢主要技術性能：使用溫度范圍：-55℃～+105℃額定電壓范圍：6.3V-100V DC標稱電容量范圍：0.1-6800uf標準電容量允許偏差：±20%(120Hz,20℃漏電流(20℃):1≤0.01CrUr(uA)或3uA取較大者(2分鐘）耐久性：+105℃施加額定電壓1000小時，恢復16小時后，電容器應滿足下要求 1電容量變化率≤±30%初始值為內 2漏電流值≤初始規定值 3損耗角正確值≤±300%初始規定值 高溫存儲：+105℃，1000小時，恢復16小時后，電容器應滿足下要求 1電容量變化率≤±30%初始值為內 2漏電流值≤2倍初始規定值 3損耗角正確值≤±300%初始規定值耐焊接熱：在250℃的條件下，電容器應在熱板上保持30秒，然后從熱板上取出電容器，讓其在溫室下恢復，電容器應滿足一下要求。1電容量變化率≤±10%初始值為內 2漏電流值≤初始規定值 3損耗角正確值≤初始規定值 貼片鋁電解電容封裝4*5.7mm 2000/盤 5*5.7mm 1000/盤 6.3*5.7mm 1000/盤 6.3*7.7mm 1000/盤 8*6.5mm 1000/盤 8*10.5mm 500/盤 10*10.5mm 500/盤 12.5*13.5mm 200/盤 16*16.5mm 125/盤

我們的優勢作為一個生產廠家，工廠將為廣大客戶提供強大的技術支持和售后服務支持：1，質量為本，工廠的賴以生存的根本是產品和質量，經過多年的探索和改善，我們在生產的各個環節嚴格控制和把關，我們出廠的所有產品保證質量可靠，性能穩定。目前已經在客戶和網絡上有較大的度和良好的口碑。2，交期優勢，工廠良好的生產管理系統保證充足的產品貨源，交期有保證。3，價格優勢，工廠良好的生產管理系統大大降低了生產成本，產品價格在市場中有優勢4，廣告支持，工廠每年投入大量資金在各種展會以及網絡平臺上進行產品和品牌的宣傳和推廣，使產品和品牌深入人心。使代理商和貿易商的銷售工作更容易開展和成交。5，服務支持，工廠為您和客戶提供各種技術支持，樣品支持，銷售指導，以及客戶的看廠配合。靈活，多樣化的服務讓老板放心，讓采購省心。 貼片鋁電解電容的應用范圍貼片式鋁電解電容作為一種質量輕，厚度薄，體積小的新型被動元器件，適用于結構緊湊，體積小，精度高的各類電子產品中，其應用領域非常廣闊，尤其集中在通信設備、電腦及周邊配件、LCD電視機、便攜式DVD播放機、車載TV/DVD/RADIO、高清電視、LCD、超薄DVD，，安防設備以及消防設備，移動電源等。除此之外還有：及商業的ATM機、高檔計算機、、收銀機、移動掃描機、編碼識別器、各類車載電器、醫療儀器設備、精密儀器儀表、工業設備或家用電器、電子玩具，智能家電；電動車輛控制部分等等。今后，貼片鋁電解電容的應用還有非常大的發展余地。貼片鋁電解電容通常起濾波、旁路、耦合、去耦、轉相等電氣作用，是電子線路必不可少的組成部分。

鋁電解電容器的結構特點 鋁電解電容器的芯子是由陽極鋁箔、電解紙、陰極鋁箔、電解紙等4層重迭卷繞而成；芯子含浸電解液后，用鋁殼和膠蓋密閉起來構成一個電解電容器。同其它類型的電容器相比，鋁電解電容器在結構上表現出如下明顯的特點： （1）鋁電解電容器的工作介質為通過陽極氧化的方式在鋁箔表面生成一層極薄的三氧化二鋁（Al2O3），此氧化物介質層和電容器的陽極結合成一個完整的體系，兩者相互依存，不能彼此獨立；我們通常所說的電容器，其電極和電介質是彼此獨立的。 （2）鋁電解電容器的陽極是表面生成Al2O3介質層的鋁箔，陰極并非我們習慣上認為的負箔，而是電容器的電解液。 （3）負箔在電解電容器中起電氣引出的作用，因為作為電解電容器陰極的電解液無法直接和外電路連接，必須通過另一金屬電極和電路的其它部分構成電氣通路。 （4）鋁電解電容器的陽極鋁箔、陰極鋁箔通常均為腐蝕鋁箔，實際的表面積遠遠大于其表觀表面積，這也是鋁質電解電容器通常具有大的電容量的一個原因。由于采用具有眾多微細蝕孔的鋁箔，通常需用液態電解質才能更有效地利用其實際電極面積。 （5）由于鋁電解電容器的介質氧化膜是采用陽極氧化的方式得到的，且其厚度正比于陽極氧化所施加的電壓，所以，從原理上來說，鋁質電解電容器的介質層厚度可以地控制。